半导体

半导体技术是人类科学技术发展至今复杂的技术之一,被誉为现代制造业皇冠上的明珠,世界上复杂的物理化学理论和精密的设备,都能在半导体行业的生产线上见到。

芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道是指晶圆制造厂的加工过程,即在空白的硅片完成电路的加工;后道是指晶圆的切割、封装成品以及最终的测试过程。前道工艺包括光刻、刻蚀、薄膜生长、离子注入、清洗、CMP、量测等;后道工艺包括减薄、划片、装片、键合等封装工艺以及终端测试等。其中光刻、刻蚀和薄膜沉积是芯片前道制造三大核心工艺技术。

根据摩尔定律演进,每18~24个月芯片性能将提升一倍。1971年英特尔发布的第一个处理器4004,就采用10微米工艺生产,仅包含2300多个晶体管。随后,晶体管的制程节点以0.7倍的速度递减,90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、10nm、7nm等等相继成功研制出来,目前正向5nm、3nm、2nm突破。对半导体设备来说,根据半导体行业内“一代设备,一代工艺,一代产品”的经验,半导体设备要超前半导体产品制造开发,新一代产品更新一代工艺制程,则需更新一代更为先进的制程设备。
设备: 薄膜沉积—物理气相沉积设备
客户: 光学镀膜厂家(PVD物理气相沉积)
  • 设备介绍:
    物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子,或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术, 物理气相沉积是主要的表面处理技术之一。
    PVD(物理气相沉积)镀膜技术主要分为三类:真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。相应的真空镀膜设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机。
    随着沉积方法和技术的提升,物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。
  • 面临的挑战:
    客户期待长期合作和优质的产品质量及服务,对于产品迭代升级时的工况有更多的创新支持.痛点: 竞争品T的标准交货期长且不提供个性化的定制和服务需求(包括非标设计)。挑战很多:1)希望新设计用机械安装,希望对槽优化并提供指导意见,需要考虑设备安装间隙控制,需要配合持续优化设计提供方案。 2)客户的设计对可靠性要求高,对气阀尺寸非常特殊。 3)客户希望泄漏等级1.0×10-9Pa*m3/sec
  • 操作工况:
    应用部位:光学薄膜设备的真空腔密封
    温度: 0~150℃
    压力: 内腔1.0×10-4Pa,压缩气源为3bar,外部为大气压
    介质:氩气;N2;H2;C2H2;等
    设备泄漏率要求: 1.0×10-9Pa*m3/sec (氦气)
    典型尺寸:长883.3mm*宽385.3mm;一个设备需要14个密封条
  • 解决方案:
    经过充分的前期调研、沟通和细节的技术确认,确定了我司提出的机械式安装的CEFIL’AIR®充气密封条设计方案,我司类似密封方案,已经大量使用于亚洲市场的的光学薄膜制程设备并验证有效。我司中国技术团队和法国设计工程师一起全程参与本设计方案升级过程中的沟通、配合客户端的系统零部件细节持续优化更新设计、指导沟槽尺寸的细节,我们在光学薄膜真空室设计和应用经验及及时的技术响应给客户留下了专业度的印象并赢得了客户的信心。

CEFIL’AIR® 充气密封
气动密封件提供了一种简单、安全和有效的密封元件的型式,方便被密封部件间相对的移动,并在需要时连接和断开。 CEFIL’AIR® 充气密封通过气动过程控制膨胀和收缩, CEFIL’AIR® 充气密封采用专利设计的先进的橡胶弹性体配方和现代制造技术,可满足众多应用的要求。
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