半导体

半导体技术是人类科学技术发展至今复杂的技术之一,被誉为现代制造业皇冠上的明珠,世界上复杂的物理化学理论和精密的设备,都能在半导体行业的生产线上见到。

芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道是指晶圆制造厂的加工过程,即在空白的硅片完成电路的加工;后道是指晶圆的切割、封装成品以及最终的测试过程。前道工艺包括光刻、刻蚀、薄膜生长、离子注入、清洗、CMP、量测等;后道工艺包括减薄、划片、装片、键合等封装工艺以及终端测试等。其中光刻、刻蚀和薄膜沉积是芯片前道制造三大核心工艺技术。

根据摩尔定律演进,每18~24个月芯片性能将提升一倍。1971年英特尔发布的第一个处理器4004,就采用10微米工艺生产,仅包含2300多个晶体管。随后,晶体管的制程节点以0.7倍的速度递减,90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、10nm、7nm等等相继成功研制出来,目前正向5nm、3nm、2nm突破。对半导体设备来说,根据半导体行业内“一代设备,一代工艺,一代产品”的经验,半导体设备要超前半导体产品制造开发,新一代产品更新一代工艺制程,则需更新一代更为先进的制程设备。
设备:刻蚀机
客户:某刻蚀设备生产厂家
  • 设备介绍:
    刻蚀是复制掩模图案关键步骤,CCP(电容耦合)、ICP(电感耦合)、ECR(电子回旋加速震荡)等类刻蚀设备应用广泛。刻蚀是使用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程,是在涂胶的硅片上正确地复制出掩模图形。刻蚀工艺分为干法、湿法刻蚀,具有良好各向异性和工艺可控性的干法刻蚀是芯片制造中实现介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀的主要技术路径。具体而言,高密度等离子体刻蚀是目前用于先进制程工艺中刻蚀关键层的重要方法,CCP、ICP、ECR等类刻蚀机应用广泛,原子层刻蚀(ALE)设备或是未来发展方向。
  • 面临的挑战:
    客户期待长期合作和优质的产品质量及服务,对于产品迭代升级时的工况有更多的创新支持。痛点:现有供应商 竞争品K的标准交货期式8周(包括非标设计)。
  • 操作工况:
    应用部位:12寸的刻蚀设备 匹配刻蚀设备的静电吸盘
    温度: -20℃ to 80℃
    压力: 常压
    泄漏率要求: 1*10-9 CC/S (氦气) 
    典型尺寸:波纹管OD=12.5*ID=5mm*自由长度40mm
  • 解决方案:
    第一个订单是6个BELFAB®金属焊接波纹管,2019年完成装备和测试并已发往终端客户端的8寸磁层刻蚀多腔集成设备。目前我司的Bellows已深受OEM客户信赖,在蚀刻机、PEVCD设备设计和制造时,出色的设计能力和及时的客户服务帮助中国客户将产品推广于亚洲地区各地的晶圆工厂,是半导体业内关键装备和解决方案的首选供应商。

BELFAB® 边缘焊接金属波纹管
与模压成型波纹管相比,BELFAB®边缘焊接金属波纹管具有卓越的冲程能力和更精确的弹簧刚度,在尽可能小的空间内为您提供更大的灵活性和控制力。
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