半导体

半导体技术是人类科学技术发展至今复杂的技术之一,被誉为现代制造业皇冠上的明珠,世界上复杂的物理化学理论和精密的设备,都能在半导体行业的生产线上见到。

芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道是指晶圆制造厂的加工过程,即在空白的硅片完成电路的加工;后道是指晶圆的切割、封装成品以及最终的测试过程。前道工艺包括光刻、刻蚀、薄膜生长、离子注入、清洗、CMP、量测等;后道工艺包括减薄、划片、装片、键合等封装工艺以及终端测试等。其中光刻、刻蚀和薄膜沉积是芯片前道制造三大核心工艺技术。

根据摩尔定律演进,每18~24个月芯片性能将提升一倍。1971年英特尔发布的第一个处理器4004,就采用10微米工艺生产,仅包含2300多个晶体管。随后,晶体管的制程节点以0.7倍的速度递减,90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、10nm、7nm等等相继成功研制出来,目前正向5nm、3nm、2nm突破。对半导体设备来说,根据半导体行业内“一代设备,一代工艺,一代产品”的经验,半导体设备要超前半导体产品制造开发,新一代产品更新一代工艺制程,则需更新一代更为先进的制程设备。
设备:薄膜沉积—化学气相沉积设备
客户:化学沉积设备(CVD)制造商
  • 设备介绍:
    由于半导体器件的高精度,薄膜通常使用膜淀积技术来实现。晶圆表面的淀积物会在晶圆表面形成一层连续密闭的薄膜,在半导体行业,薄膜淀积工艺是普通也重要的工艺。在晶圆衬底上淀积薄膜有很多种技术,主要分为化学工艺和物理工艺。
    化学工艺主要指化学气相沉积,包括常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气象沉积(PECVD)、高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)、电镀等,物理工艺则主要有物理气相沉积、蒸发和旋涂等。
    化学气相沉积(CVD)就是通过气体混合的化学反应在晶圆表面淀积一层固体膜的工艺,这是常在半导体制程中使用的技术。CVD技术具有淀积温度低(500℃~1100℃)、薄膜成分与厚度易控、膜厚遇淀积时间成正比、均匀性与重复性较好、台阶覆盖优良、操作简便、使用范围广泛等一系列特点。半导体中常用的淀积膜有二氧化硅、氮化硅、多晶结构的硅甚至金属膜。
  • 面临的挑战:
    客户期待长期合作和优质的产品质量及服务,对于产品迭代升级时的工况提出更苛刻的耐腐蚀和防污染要求。 客户原使用的密封件是全氟橡胶O型圈且尺寸非常小,其耐受三氟化氮介质不沟理想,且橡胶有潜在的老化污染隐患。
  • 操作工况:
    应用部位:12寸的CVD设备 匹配的气歧管环(1个气歧管环内有72个喷射器嘴)
    温度: 150℃
    压力: 30 Torr
    泄漏率要求:肉眼不可见
    典型尺寸: 外径12.7mm截面尺寸 CS为1.6mm(HELICOFLEX® 铝制密封圈 HN100)
  • 解决方案:
    我司提供的的铝制带弹簧加强的HELICOFLEX® 密封圈,其外径12.7mm截面尺寸 CS为1.6mm。其在苛刻腐蚀且温度循环的工况下能保持很好弹性和密封性,另外采用单层铝覆层的设计使得金属颗粒的污染降低到最小且方便清洗工序。

HELICOFLEX® 弹簧加强金属密封
HELICOFLEX® DELTA 密封件是 HELICOFLEX® 弹簧加强密封件系列的一种。 这是一种独特的密封解决方案,在密封件表面有两个突起“∆”。
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