半导体

半导体技术是人类科学技术发展至今复杂的技术之一,被誉为现代制造业皇冠上的明珠,世界上复杂的物理化学理论和精密的设备,都能在半导体行业的生产线上见到。

芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道是指晶圆制造厂的加工过程,即在空白的硅片完成电路的加工;后道是指晶圆的切割、封装成品以及最终的测试过程。前道工艺包括光刻、刻蚀、薄膜生长、离子注入、清洗、CMP、量测等;后道工艺包括减薄、划片、装片、键合等封装工艺以及终端测试等。其中光刻、刻蚀和薄膜沉积是芯片前道制造三大核心工艺技术。

根据摩尔定律演进,每18~24个月芯片性能将提升一倍。1971年英特尔发布的第一个处理器4004,就采用10微米工艺生产,仅包含2300多个晶体管。随后,晶体管的制程节点以0.7倍的速度递减,90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、10nm、7nm等等相继成功研制出来,目前正向5nm、3nm、2nm突破。对半导体设备来说,根据半导体行业内“一代设备,一代工艺,一代产品”的经验,半导体设备要超前半导体产品制造开发,新一代产品更新一代工艺制程,则需更新一代更为先进的制程设备。
设备: 半导体
客户: 某光刻机厂家
  • 设备介绍:
    光刻又称微影制程,是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光阻层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他它金属层、介质层,例如玻璃、蓝宝石等。
    下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解光刻过程:
    首先,通过金属化过程,在硅衬底上布置一层仅数纳米厚的金属层。然后在这层金属上覆上一层光阻。这层光阻剂在曝光(一般是紫外线波长的准分子激光)后可以被特定溶液(显影液)溶解。使特定的光波穿过光掩模照射在光阻上,可以对光阻进行选择性照射(曝光)。然后使用前面提到的显影液,溶解掉被照射的区域,这样,光掩模上的图形就呈现在光阻上。通常还将通过烘干措施,改善剩余部分光阻的一些性质。
    上述步骤完成后,就可以对衬底进行选择性的刻蚀或离子注入过程,未被溶解的光阻将保护衬底在这些过程中不被改变。
    刻蚀或离子注入完成后,将进行光刻的最后一步,即将光阻去除,以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常,半导体器件制造整个过程中,会进行很多次光刻流程。生产复杂集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻,而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。
  • 面临的挑战:
    客户期待长期合作和优质的密封产品质量及服务,对于产品迭代升级时的设计、制造、清洁和包装能提供全球范围内且快速的创新支持。此外,客户对价格也非常敏感,希望享有全球一流技术支持的同时也有中国本地化的价格和服务。
  • 操作工况:
    应用部位:束管密封
    温度: 常温
    压力: 常压
    泄漏率: 客户端测试要求
    典型尺寸:法兰内径76.20mm
  • 解决方案:
    产品方案为改良型AS1895快速拆卸的不锈钢材质的QDS。通过Garlock高级设计工程师的技术支持,由我司苏州工厂制造和钝化并在新加坡工厂的专业级别清洁室完成清洁和包装,并于2019年交付第一个订单。后续积极响应客户的材料升级要求并通过客户订单获得认可。经过2年多的配合,目前客户已经进入重复订单购买的平稳期。

快速拆卸法兰 (QDS)
快速拆卸系统 (QDS) 旨在快速组装和拆卸法兰接头,与传统的螺栓装配相比同时可节省空间。安装更快、更容易,尤其是在可能难以接触螺栓和螺钉的狭小位置。
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